高精度-宽范围-TMR线性磁传感器芯片-DFN8L封装

2952采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。性能优越，采用DFN8L封装形式(2mm ×2mm×0.45mm)

特性 ：

• 隧道磁阻（TMR）技术

• 高稳定性 

• 高灵敏度：2mV/V/Gs

• 低磁滞：0.3%@±100Gs

• 线性误差：±1%@±100Gs

• 工作磁场范围：±100Gs 

• 工作温度范围：-40~125℃

• 供电电压：1~7V

(典型电路图)

应用：

1. 电流传感器

2. 磁力计 

3. 角度传感器

4. 位置传感器

（封装尺寸）